Princip polprevodniške laserske osvetlitve

Po vbrizganju toka na obe elektrodi se elektroni v atomih aktivne snovi v aktivni plasti vzburijo iz nizkoenergijskega stanja v visoko energetsko stanje. Ti visokoenergetski elektroni oddajajo svetlobo, ko se iz visoko energetskega stanja zmanjšajo v stanje nizke energije, ki se imenuje spontana emisija. Spontano oddana svetloba ni zelo čista, tj. Vsebuje širšo spektralno črto. Če je spontano sevana svetloba močna, se svetloba odbija naprej in nazaj znotraj dveh ogledal polprevodnika. V tem procesu je za vsako svetlobno energijo z isto fazo energija nadrejena in večja; za vsako svetlobno energijo v neskladni fazi energija slabi in postane manjša in manjša. Energija se pretvori v svetlobno energijo določene valovne dolžine glede na votlino, ki jo tvorita dve ogledalni površini polprevodnika, in tvori laser, ko niha. Laser se generira s tako imenovanim stimuliranim sevanjem. Ogledalo polprevodnika je gladko in prosojno, laser pa se lahko oddaja iz ogledala. Funkcija zaprtega sloja je koncentracija svetlobne energije znotraj aktivne plasti za povečanje učinkovitosti. Valovna dolžina svetlobe, ki jo oddaja polprevodniški laser, je odvisna predvsem od razdalje med materialom polprevodnika in površine zrcala.